产品应用 - 集成电路28-180nm 技术节点逻辑、存储、功率器件- IMP、AA、gate、contact、poly，metal，via等工艺应用产品特点 - 分辨率：0.12-0.4um- 膜厚：0.3-3um- 正负性，高深宽比，耐刻蚀，耐离子注入，高感光度
产品应用
- 集成电路28-180nm 技术节点逻辑、存储、功率器件- IMP、AA、gate、contact、poly，metal，via等工艺应用
- 集成电路28-180nm 技术节点逻辑、存储、功率器件
- IMP、AA、gate、contact、poly，metal，via等工艺应用
产品特点
- 分辨率：0.12-0.4um- 膜厚：0.3-3um- 正负性，高深宽比，耐刻蚀，耐离子注入，高感光度
- 分辨率：0.12-0.4um
- 膜厚：0.3-3um
- 正负性，高深宽比，耐刻蚀，耐离子注入，高感光度
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